Rekristallisierte Siliciumcarbid (RSiC)-Serie
Unsere R-SiC-Serie umfasst ein komplettes Sortiment hochreiner Siliziumkarbidprodukte, die durch ein einzigartiges Rekristallisationsverfahren hergestellt werden. Diese Technologie führt zu einer Mikrostruktur aus direkt gebundenen SiC-Kristallen ohne sekundäre Phasen, die eine außergewöhnliche Hochtemperaturleistung, Thermoschockbeständigkeit und chemische Stabilität bietet. R-SiC-Produkte sind die erste Wahl für die anspruchsvollsten Ofenanwendungen bis zu 1.650 °C.
Hauptmerkmale der Serie
| Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Max. Betriebstemperatur | 1.650°C |
| Rohdichte | ≥ 2,65 g/cm³ |
| Scheinbare Porosität | ≤ 17% |
| Biegefestigkeit (RT) | ≥ 100 MPa |
| Biegefestigkeit (1.400°C) | ≥ 80 MPa |
| Wärmeleitfähigkeit (1.200°C) | ≥ 30 W/m·K |
| Wärmeausdehnungskoeffizient (RT–1.500°C) | ~4,5 × 10⁻⁶/°C |
| Reinheit | > 99% SiC |
| Bindungsart | Direkte rekristallisierte SiC–SiC-Bindung |