Rekristallisierte Siliciumcarbid (RSiC)-Serie

Unsere R-SiC-Serie umfasst ein komplettes Sortiment hochreiner Siliziumkarbidprodukte, die durch ein einzigartiges Rekristallisationsverfahren hergestellt werden. Diese Technologie führt zu einer Mikrostruktur aus direkt gebundenen SiC-Kristallen ohne sekundäre Phasen, die eine außergewöhnliche Hochtemperaturleistung, Thermoschockbeständigkeit und chemische Stabilität bietet. R-SiC-Produkte sind die erste Wahl für die anspruchsvollsten Ofenanwendungen bis zu 1.650 °C.

Hauptmerkmale der Serie



Eigenschaft Wert
Max. Betriebstemperatur 1.650°C
Rohdichte ≥ 2,65 g/cm³
Scheinbare Porosität ≤ 17%
Biegefestigkeit (RT) ≥ 100 MPa
Biegefestigkeit (1.400°C) ≥ 80 MPa
Wärmeleitfähigkeit (1.200°C) ≥ 30 W/m·K
Wärmeausdehnungskoeffizient (RT–1.500°C) ~4,5 × 10⁻⁶/°C
Reinheit > 99% SiC
Bindungsart Direkte rekristallisierte SiC–SiC-Bindung
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