Rekristallisierte Siliziumkarbid (RSiC)-Ofenplatten

Rekristallisierte Siliziumkarbid (RSiC) Ofenplatten

RSiC-Ofenplatten werden aus hochreinen Siliziumkarbidpartikeln durch einen Hochtemperatur-Sinter- und Rekristallisationsprozess hergestellt, wobei eine dreidimensional vernetzte Struktur gebildet wird. Die maximale Betriebstemperatur erreicht 1650℃ (3002℉). Die Reinheit ist zwischen 99% und 99,999% kontrollierbar und deckt Anwendungen von der allgemeinen industriellen Brennung bis hin zu hochsensiblen Bereichen wie elektronische Materialien, optische Kristalle und Spezialkeramiken ab. Kombiniert hervorragende Thermoschockbeständigkeit mit energiesparender und umweltfreundlicher Leistung.

Hauptvorteile

• Ultrahohe Temperaturstabilität – Zuverlässiger Langzeitbetrieb bei 1650℃ mit hoher Restfestigkeit.

• Überragende Thermoschockbeständigkeit – Einzigartige mikroporöse Struktur puffert thermische Spannungen und widersteht Rissbildung bei schnellem Erhitzen/Abkühlen.

• Anpassbare Reinheit – Erhältlich von 99% bis 99,999%, um Werkstückkontaminationen zu verhindern und die Produktausbeute erheblich zu verbessern.

• Hohe Beladungseffizienz – 30–50% leichter als herkömmliche schwere Ofenmöbel, ermöglicht dünnwandige Designs zur Erhöhung der Ofenbeladungsraten.

• Energiesparend & Umweltfreundlich – Geringe Wärmekapazität kombiniert mit hoher Wärmeleitfähigkeit verkürzt die Brennzyklen und reduziert den Energieverbrauch pro Produkteinheit.

Technische Daten – 99% Reinheitsgrad